Moskisvet.com
Spomin faznih sprememb - 2

Visoki obrati

Prihaja nov 'flash' spomin

R.B.
03. 07. 2011 11.33
1

Flash spomin je še vedno relativno drag, če gledamo ceno za gigabajt. Vendar pri enem najstarejših računalniških podjetij na svetu obljubljajo nadgradnjo obstoječe tehnologije in poceni novosti že v nekaj letih.

IBM-ovi strokovnjaki posredno obljubljajo, da bo rotacijskim trdim diskom tudi pri velikih količinah podatkov v uporabniški tehnologiji končno odklenkalo. Padanje cen flash spomina, če gledamo cene, ki so letos že padle pod dolar za en gigabajt, še vedno ne zadosti velikanskim potrebam po hrambi, saj v nekaterih primerih cena za gigabajt raste. Najcenejši gigabajt je v primeru 256 gigabajtnih diskov (okrog 60 dolarskih centov ali 40 evrskih centov), ki pa že v primeru 512 gigabajtnih izdelkov strmo naraste za skoraj 100 odstotkov. Gre za več dragih kontrolerjev v večjih SSD diskih, ki takoj povečajo ceno, pa tudi za bolj zapleteno izdelavo.

Nov spomin skupka 200.000 celic je prestal polletni cikel delovanja.
Nov spomin skupka 200.000 celic je prestal polletni cikel delovanja. FOTO: Wikipedia

Povprečna cena trdih diskov se še vedno giblje pod 10 dolarskih centov (manj kot 7 evrskih centov) na gigabajt, vendar strokovnjaki napovedujejo rast cen, saj so se cene flash spomina zaradi čedalje večje vgradnje SSD diskov v OEM sisteme in postopnega zamenjevanja CD nosilcev za flash USB-ključke znižale.

Nova odkritja in rešitve so usmerjene v cenejši, hitrejši in prostornejši spomin. Raziskovalci ameriškega podjetja IBM so s kombinacijo relativno preprostega programskega trika in novim spominom, ki uporablja fazne spremembe, uspeli najti dokaj preprosto rešitev za izvedbo izredno hitrega in prostornega flash spomina. Novo tehnologijo bi v obliki cenovno ugodnih proizvodov lahko na trge lansirali že v petih letih.

Podobno kot klasični NAND flash spomin je spomin faznih sprememb stalen, kar pomeni, da ostane zapisan na mediju navkljub izklopu iz elektrike. Spomin faznih sprememb nudi tudi velikanske bralne in pisalne hitrosti, veliko večje kot pri najboljših današnjih NAND-tehnologijah. Vendar je pri omenjeni novi tehnologiji gostota spominskih celic zaenkrat še zelo majhna.

Spomin faznih sprememb v prerezu.
Spomin faznih sprememb v prerezu. FOTO: Wikipedia

Vendar IBM ponuja rešitev; saj so spomin faznih sprememb dodelali s programskimi nadgradnjami, ki bodo omogočile več bitov, shranjenih v eno spominsko celico. Ker se pri spominu faznih sprememb podatki hranijo s pomočjo spremembe materiala med obema elektrodama, ki prehaja iz enega stanja v drugo, sčasoma začnejo elektroni prehajati med atomi in zato se podatki pokvarijo ali izginejo. Pri IBM pa so to rešili tako, da se podatki hranijo pretvorjeni v kodo, s pomočjo katere se lahko ob branju popravlja napake v podatkih. Raziskovalcem je uspelo ohraniti podatke z 200.000-celičnega spomina v obdobju šestih mesecev, kar je še vedno precej neuporabno. Vendar, kot pravi raziskovalec Harris Pozidis, bi lahko zelo hitro uspeli doseči cikel desetih let, kolikor je dandanes standard pri hrambo digitalnih podatkov na flash spominu. Tako bi dobili lahko tudi do osemkrat večje spominske ključke in SSD diske, ki bi omogočali hitrosti branja in pisanja preko enega gigabajta na sekundo. Po ceni sedanjih flash celic.
 

KOMENTARJI (1)

Opozorilo: 297. členu Kazenskega zakonika je posameznik kazensko odgovoren za javno spodbujanje sovraštva, nasilja ali nestrpnosti.

PRAVILA ZA OBJAVO KOMENTARJEV
ISSN 2630-1679 © 2024, Moskisvet.com, Vse pravice pridržane Verzija: 607